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人结直肠腺癌细胞，HT-29细胞（T25培养瓶@密度75%）含说明书（传代方法，培养条件，血清，培养基等） 由于InSb具有晶格常数大以及固有的n型导电性特征，难以找到合适衬底外延生长，通常人们采用缓冲层技术。 人十二脂肠腺癌，HuTu-80细胞（T25培养瓶@密度75%）含说明书（传代方法，培养条件，血清，培养基等）
人结直肠腺癌细胞，HCT 116细胞（T25培养瓶@密度75%）含说明书（传代方法，培养条件，血清，培养基等）SW620细胞SW620细胞形态 然而，晶格失配引起的位错缺陷会沿着缓冲层向上延伸，甚至延伸至缓冲层表面，使得缓冲层表面不能形成的晶格结构，从而影响外延的InSb薄膜晶体质量。半个多世纪以来，高质量InSb材料制备一直是困扰研究人员们的难题。 人结直肠腺癌细胞，LoVo细胞（T25培养瓶@密度75%）含说明书（传代方法，培养条件，血清，培养基等）
人胰腺腺泡上皮癌，HPAC细胞（T25培养瓶@密度75%）含说明书（传代方法，培养条件，血清，培养基等） 研究人员利用分子束外延技术，首先在Si（111）衬底上生长出高质量纯相InAs纳米线，然后通过控制生长温度和束流比，创造性地在一维InAs纳米线上生长出了二维高质量InSb纳米片。 这种免缓冲层技术制备出来的立式InSb纳米片为纯闪锌矿单晶，结构中观察不到层错及孪晶等缺陷。 人结直肠腺癌细胞，SW620细胞（T25培养瓶@密度75%）含说明书（传代方法，培养条件，血清，培养基等）
人胰腺癌细胞，AsPC-1细胞（T25培养瓶@密度75%）含说明书（传代方法，培养条件，血清，培养基等） 其长度和宽度达到微米量级（大于10微米）、厚度可薄至10纳米。徐洪起等将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件，器件具有明显的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000 cm2 V-1 s-1。 |
