CNE-2细胞供应 在III-V族半导体中，InSb化合物具有zui窄禁带宽度、zui高电子迁移率、zui小有效质量和zui大g因子，是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的理想材料。 4T1细胞说明：
生长特性： 贴壁生长
培养基：90% RPMI-1640
血清：10% FBS
温度：37 ℃
空气条件：5% CO2，95% AIR
冻存条件：培养基 70%、血清20%、DMSO10% 由于InSb具有晶格常数大以及固有的n型导电性特征，难以找到合适衬底外延生长，通常人们采用缓冲层技术。 3T3-L1细胞说明：
生长特性： 贴壁生长
培养基：90% DMEM高糖
血清：10% FBS
温度：37 ℃
空气条件：5% CO2，95% AIR
冻存条件：培养基 70%、血清20%、DMSO10% 然而，晶格失配引起的位错缺陷会沿着缓冲层向上延伸，甚至延伸至缓冲层表面，使得缓冲层表面不能形成的晶格结构，从而影响外延的InSb薄膜晶体质量。半个多世纪以来，高质量InSb材料制备一直是困扰研究人员们的难题。 786-0细胞说明：
生长特性： 贴壁生长
培养基：90% RPMI1640（含2mM L-glutamine）
血清：10% FBS
温度：37 ℃
空气条件：5% CO2，95% AIR
冻存条件：培养基 70%、血清20%、DMSO10% 研究人员利用分子束外延技术，首先在Si（111）衬底上生长出高质量纯相InAs纳米线，然后通过控制生长温度和束流比，创造性地在一维InAs纳米线上生长出了二维高质量InSb纳米片。 HEK-293细胞说明：
生长特性： 贴壁生长
培养基：90% DMEM
血清：10% FBS
温度：37 ℃
空气条件：5% CO2，95% AIR
冻存条件：培养基 70%、血清20%、DMSO10% 这种免缓冲层技术制备出来的立式InSb纳米片为纯闪锌矿单晶，结构中观察不到层错及孪晶等缺陷。 其长度和宽度达到微米量级（大于10微米）、厚度可薄至10纳米。将这种高质量的二维InSb纳米片制成了场效应器件，器件具有明显的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000 cm2 V-1 s-1。 293FT细胞说明：
生长特性： 贴壁生长
培养基：90% 高糖DMEM
血清：10% FBS
温度：37 ℃
空气条件：5% CO2，95% AIR
冻存条件：培养基 70%、血清20%、DMSO10% CNE-2细胞供应 通派(上海)生物细胞库主要从事提供细胞和细胞相关的产品，提供耐药株筛选、基因敲除株筛选、荧光标记、STR鉴定等服务
售前可提供细胞说明书、细胞培养条件等资料, 细胞包装：活细胞（T25培养瓶×1 常温运输） 冻存细胞（冻存管、干冰包装）
细胞数量：0.5-1x1000000 细胞代数：1-4代 细胞培养方法：见说明书
细胞库特点:来源可靠、状态佳、无污染等。 A549细胞 A-549细胞 人肺癌细胞 Cyc-Tag(S49)细胞 小鼠T淋巴瘤细胞
DU145细胞 DU-145细胞 人前列腺癌细胞 FDC-P1细胞 小鼠骨髓细胞
GH3细胞 大鼠垂体瘤细胞 GT1-1细胞 小鼠垂体瘤细胞
293细胞 HEK-293细胞 HEK29细胞 人胚肾细胞 HeLa细胞
MC3T3-E1细胞 小鼠胚胎成骨细胞前体细胞 NG108-15细胞 108CC15细胞
NIH/3T3细胞 小鼠胚胎成纤维细胞 NTERA-2细胞 人恶性多发性畸胎瘤细胞
P19细胞 PA-1细胞
PA12细胞 小鼠胚胎成纤维细胞 PANC-1细胞 人胰腺癌细胞
PC-12细胞 PC12细胞 大鼠肾上腺嗜铬细胞瘤细胞 Saos-2细胞 人成骨肉瘤细胞
SH-SY5Y细胞 人神经母细胞瘤细胞 SK-OV-3细胞 SKOV3细胞
U-2OS细胞 人骨肉瘤细胞 WEHI-3细胞 WEHI3细胞 小鼠血细胞
Φ2细胞 小鼠成纤维细胞 A-204细胞 人横纹肌肉瘤细胞
Calu-3细胞 人肺腺癌细胞 COS-7细胞 COS7细胞 非洲绿猴肾细胞
G401细胞 人肾癌Wilms细胞 Hep G2细胞 HepG2细胞 人肝癌细胞
HL-60细胞 人早幼粒急性白血病细胞 HOS细胞 人骨肉瘤细胞
K562细胞 人慢性髓系白血病细胞 LNCaP细胞 人前列腺癌细胞
MCF 7B细胞 MEL细胞 小鼠红白血病细胞 CNE-2细胞供应 |
